1.廢硅泥烘干熱解去除水與揮發(fā)物；

2.用鹽酸.硝酸.乙酸.乙醇等濕法溶解除雜，清洗烘干得到高純硅粉；

3.把純單質(zhì)硅和高純二氧化硅進行研磨至微米級以下，二者比例配比混合進高溫真空熱解反應系統(tǒng)；

4.熱解反應形成的一氧化硅（氧化亞硅）進行急冷，冷后的氧化亞硅再次研磨至微米級以下；

5.微米級亞硅與有機碳源、微米純碳等添加劑進行配比混合均勻；

6.配比混合進行無氧熱解炭化包覆氧化亞硅，冷卻包覆后物料再進高溫無氧燒結系統(tǒng)，該次燒結可提高碳包覆氧化亞硅材料密度、硬度等性能；

7.燒結物料冷卻后三次高溫無氧燒結，這次燒結使碳包覆氧化亞硅材料提高電導率和電化學性；

8.冷卻碳包覆硅氧材料制成微米納米級，該碳包覆硅氧材料經(jīng)產(chǎn)品質(zhì)量檢測后密封包裝外售。

氧化亞硅SiOx體積膨脹遠小于晶體硅，但仍遠高石墨，因此SiOx材料研制仍考慮膨脹性問題，減少SiOx循環(huán)中顆粒破碎和粉化，提高材料的循環(huán)壽命，因此納米化也是提升材料的循環(huán)和倍率性能。

該氧硅材料的首次效率僅為63%。為了從本質(zhì)提高SiOx材料的首次效率， Si-SiOx-C復合結構的碳硅負極材料，氧化亞硅納米顆粒表面包覆了一層多孔碳材料，提高了電化學性能，在0.06C下可逆容量達到1562mAh/g，首次效率達到80%，1C循環(huán)100次，容量保持率可達88%

優(yōu)點:  對亞硅碳包覆表面改性,提高亞硅的流動性,提高硅材料電導率、首次效率、容量率、膨脹率、循環(huán)性、電化學及壽命，降低膨脹率。

缺點：成本高、首次率略差、膨脹略大、加工性差、循環(huán)差、倍率差。